|
Hinnavaatlus
:: Foorum
:: Uudised
:: Ärifoorumid
:: HV F1 ennustusvõistlus
:: Pangalink
:: Telekavad
:: HV toote otsing
|
|
| autor |
|
Tanel
HV Guru
liitunud: 01.10.2001
 
|
09.08.2013 10:28:15
Nutiseadmete mälumaht võib juba lähitulevikus suureneda 24 korda! |
|
|
Kui praegu jääb nutitelefonide mälumaht vahemikku 16-64GB, siis juba lähitulevikus võib see suureneda 24 korda, kuna Samsung töötas välja 3D mälukiibi, mis hüppeliselt suurendab nutiseadmete mälumahtu.
Samsungil oli õnnestunud juba varem suruda NAND-tüübi välkmälu kiibile 16GB, kuid kui ladustada sellised kiipe üksteise otsa 24 kihti, siis suureneb mälumaht 384GB-ni.
Loe edasi Õhtulehest.
_________________
Hinnavaatlus.ee - leia parim hind!
HV valuutakalkulaator
viimati muutis Tanel 09.08.2013 11:12:42, muudetud 1 kord |
|
| Kommentaarid: 465 loe/lisa |
Kasutajad arvavad: |
   |
:: |
12 :: |
7 :: |
358 |
|
| tagasi üles |
|
 |
Mnator
HV Guru
liitunud: 18.10.2007
|
|
09.08.2013 11:08:12
|
|
|
| Soojuse ärajuhtimine on tüüpprobleemiks selle lahenduse puhul.
|
|
| Kommentaarid: 1 loe/lisa |
Kasutajad arvavad: |
|
:: |
0 :: |
0 :: |
1 |
|
| tagasi üles |
|
|
Tanel
HV Guru
liitunud: 01.10.2001
|
|
09.08.2013 11:10:42
|
|
|
Samsungi ametlik pressiteade  http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/news-events/press-releases/detail?newsId=12990
| tsitaat: |
Samsung Electronics Co., Ltd., the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry's first three-dimensional (3D) Vertical NAND (V-NAND) flash memory, which breaks through the current scaling limit for existing NAND flash technology. Achieving gains in performance and area ratio, the new 3D V-NAND will be used for a wide range of consumer electronics and enterprise applications, including embedded NAND storage and solid state drives (SSDs).
Samsung's new V-NAND offers a 128 gigabit (Gb) density in a single chip, utilizing the company's proprietary vertical cell structure based on 3D Charge Trap Flash (CTF) technology and vertical interconnect process technology to link the 3D cell array. By applying both of these technologies, Samsung's 3D V-NAND is able to provide over twice the scaling of 20nm-class* planar NAND flash.
"The new 3D V-NAND flash technology is the result of our employees' years of efforts to push beyond conventional ways of thinking and pursue much more innovative approaches in overcoming limitations in the design of memory semiconductor technology," said Jeong-Hyuk Choi, senior vice president, flash product & technology, Samsung Electronics. "Following the world's first mass production of 3D Vertical NAND, we will continue to introduce 3D V-NAND products with improved performance and higher density, which will contribute to further growth of the global memory industry."
For the past 40 years, conventional flash memory has been based on planar structures that make use of floating gates. As manufacturing process technology has proceeded to the 10nm-class* and beyond, concern for a scaling limit arose, due to the cell-to-cell interference that causes a trade-off in the reliability of NAND flash products. This also led to added development time and costs.
Samsung's new V-NAND solves such technical challenges by achieving new levels of innovation in circuits, structure and the manufacturing process through which a vertical stacking of planar cell layers for a new 3D structure has been successfully developed. To do this, Samsung revamped its CTF architecture, which was first developed in 2006. In Samsung's CTF-based NAND flash architecture, an electric charge is temporarily placed in a holding chamber of the non-conductive layer of flash that is composed of silicon nitride (SiN), instead of using a floating gate to prevent interference between neighboring cells.
By making this CTF layer three-dimensional, the reliability and speed of the NAND memory have improved sharply. The new 3D V-NAND shows not only an increase of a minimum of 2X to a maximum 10X higher reliability, but also twice the write performance over conventional 10nm-class floating gate NAND flash memory.
Also, one of the most important technological achievements of the new Samsung V-NAND is that the company's proprietary vertical interconnect process technology can stack as many as 24 cell layers vertically, using special etching technology that connects the layers electronically by punching holes from the highest layer to the bottom. With the new vertical structure, Samsung can enable higher density NAND flash memory products by increasing the 3D cell layers without having to continue planar scaling, which has become incredibly difficult to achieve. |
_________________
Hinnavaatlus.ee - leia parim hind!
HV valuutakalkulaator |
|
| Kommentaarid: 465 loe/lisa |
Kasutajad arvavad: |
|
:: |
12 :: |
7 :: |
358 |
|
| tagasi üles |
|
|
SurfData
HV Guru
liitunud: 19.05.2006
|
|
09.08.2013 11:38:37
|
|
|
| kahjuks on marketingiosakond jms vahel, ehk siis 10 aasta pärast on sellised suurused täitsa olemas. Vahepeal aga suuri hüppeid ei toimu vaid kõik ikka aeglaselt ja teosammul, et iga asja eest kopikas taskusse panna.
|
|
| Kommentaarid: 84 loe/lisa |
Kasutajad arvavad: |
|
:: |
0 :: |
0 :: |
74 |
|
| tagasi üles |
|
|
Riivo
HV Guru
liitunud: 23.02.2004
|
|
10.08.2013 10:36:41
|
|
|
| SurfData kirjutas: |
| kahjuks on marketingiosakond jms vahel, ehk siis 10 aasta pärast on sellised suurused täitsa olemas. Vahepeal aga suuri hüppeid ei toimu vaid kõik ikka aeglaselt ja teosammul, et iga asja eest kopikas taskusse panna. |
See ei kõla loogiliselt. Arvan, et kui kellelgi teistest parem tehnoloogia olemas oleks, siis see konkurentsieelise saamiseks ka käiku pandaks.
|
|
| Kommentaarid: 233 loe/lisa |
Kasutajad arvavad: |
|
:: |
0 :: |
0 :: |
221 |
|
| tagasi üles |
|
|
Tanel
HV Guru
liitunud: 01.10.2001
|
|
10.08.2013 10:44:49
|
|
|
| SurfData kirjutas: |
| kahjuks on marketingiosakond jms vahel, ehk siis 10 aasta pärast on sellised suurused täitsa olemas. Vahepeal aga suuri hüppeid ei toimu vaid kõik ikka aeglaselt ja teosammul, et iga asja eest kopikas taskusse panna. |
| tsitaat: |
Samsung Electronics Co., Ltd., the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry's first three-dimensional (3D) Vertical NAND (V-NAND) flash memory
|
Isegi kui me aasta perspektiivis saame toodet reaalselt näppida, on see ikkagi edasiminek.
_________________
Hinnavaatlus.ee - leia parim hind!
HV valuutakalkulaator |
|
| Kommentaarid: 465 loe/lisa |
Kasutajad arvavad: |
|
:: |
12 :: |
7 :: |
358 |
|
| tagasi üles |
|
|
matrix
HV kasutaja
liitunud: 11.09.2002
|
|
12.08.2013 10:39:31
|
|
|
| Mnator kirjutas: |
| Soojuse ärajuhtimine on tüüpprobleemiks selle lahenduse puhul. |
Sa loe ikka uudis lõpuni. See mälukiip saab olema sama õhuke kui praegused.
_________________
Give a man a computer program and you give him a headache, but teach him to program computers and you give him the power to create headaches for others for the rest of his life... R. B. Forest |
|
| Kommentaarid: 7 loe/lisa |
Kasutajad arvavad: |
|
:: |
0 :: |
0 :: |
7 |
|
| tagasi üles |
|
|
Mnator
HV Guru
liitunud: 18.10.2007
|
|
12.08.2013 10:59:54
|
|
|
| matrix kirjutas: |
| Mnator kirjutas: |
| Soojuse ärajuhtimine on tüüpprobleemiks selle lahenduse puhul. |
Sa loe ikka uudis lõpuni. See mälukiip saab olema sama õhuke kui praegused. |
Mis sellest, et peaaegu sama praegustega - kui neid on veel 24 tükki üksteise peal, siis asi muutub!
|
|
| Kommentaarid: 1 loe/lisa |
Kasutajad arvavad: |
|
:: |
0 :: |
0 :: |
1 |
|
| tagasi üles |
|
|
SurfData
HV Guru
liitunud: 19.05.2006
|
|
12.08.2013 11:33:41
|
|
|
| Tanel kirjutas: |
| SurfData kirjutas: |
| kahjuks on marketingiosakond jms vahel, ehk siis 10 aasta pärast on sellised suurused täitsa olemas. Vahepeal aga suuri hüppeid ei toimu vaid kõik ikka aeglaselt ja teosammul, et iga asja eest kopikas taskusse panna. |
| tsitaat: |
Samsung Electronics Co., Ltd., the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry's first three-dimensional (3D) Vertical NAND (V-NAND) flash memory
|
Isegi kui me aasta perspektiivis saame toodet reaalselt näppida, on see ikkagi edasiminek. |
praegu hakati lihtsalt tootma esimesi. 24 kihilise tootmiseni on veel AASTAID aega. Tore kui asi areneb, kuid kahjuks tehnika arengut hoitakse iga nurga pealt tagasi ja asjad võiksid areneda ja liikuda kiiremini kui praegu.
|
|
| Kommentaarid: 84 loe/lisa |
Kasutajad arvavad: |
|
:: |
0 :: |
0 :: |
74 |
|
| tagasi üles |
|
|
|
:: KKK
:: otsing 
:: statistika
:: kasutajate nimekiri
:: kasutajate grupid
:: registreeri
teata moderaatorile
