[K3ndu]

link :: NordicHardware


San Fransiscos toimus 19.-23. veebruar ISSCC konverents, kus samas tutvustati ka DDR4 mälumooduleid, mille masstoodangut lubatakse juba selle aasta lõpus. DDR4 saab olema järgmine suur samm mälude turul, kuna lubatakse jällegi suuremaid kiirusi ja väiksemat voolutarbivust. ISSCC konverentsil tutvustasid oma prototüüpe Samsung ja Hynix .



Samsungi DDR4 mälu töötas kiirusel 2133 MHz, ning töötas pingel 1.2V. Siia saab võrdluseks tuua DDR3 mälu, mis töötab kiirusel 1600 MHz, ning pingevahemik on 1.35V-1.5V. Praegused DDR3 mälud töötavad originaalis 1.5 V peal, kuid Samsung lubab, et DDR4 mälud hakkavad võtma kuni 40% vähem voolu.

Hynix näitas samuti prototüüpi, kuid veel vingemate näitajatega. Nende kiiruseks on 2400 MHz ning mis samuti töötavad pingel 1.2V. Need on kõigest alles prototüübid, ning toodetud on need alles 30 nm tehnoloogia peal. Samas kui aasta lõpus läheb masstootmiseks, lubatakse neid toota 20 nm tehnoloogia peal. DDR4 arvatakse ilmuvat alles 2013. aastal serveritele, ning alles 2014. aastal kodukasutajatele.

[Veiks96]

Eks emaplaadid ja protsessorid mis seda toetavad tulevad alles kahe-kolme generatsiooni pärast. Suurem osadel on ikkagi bottleneckiks kõvaketas tänapäeval(k.a. minul), mälu nii palju ei loe kui prose, gpu, emaplaat ja muud.

[1dumbpcuser]

[KrikU]

Soovitan huvilistel uurida mälumüüri olemust. Kiired mälud on endiselt olulisel kohal arvutusvõimsuse parandamisel rakendustes kus jõudlus jääb protsessori kiirusest sõltuma.
http://en.wikipedia.org/wiki/Random-access_memory <- Memory wall

[1dumbpcuser]